特許
J-GLOBAL ID：200903012830945338
光電変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-294635
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134432
出願日： 2002年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】開放電圧を向上することが可能な光電変換装置を提供する。【解決手段】この光電変換装置は、基板1の主表面1a上に形成された微結晶シリコン(μc-Si)からなるn層4およびp層6と、n層4とp層6との間に形成され、実質的に真性な微結晶シリコン(μc-Si)からなるi層5とを備えている。そして、n層4に含まれる結晶粒の長径方向が基板1の主表面1aに対して実質的に平行な方向であり、i層5と、n層4およびp層6との界面におけるi層5に含まれる結晶粒の長径方向が基板1の主表面1aに対して実質的に垂直な方向である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
主表面を有する基板と、
前記基板の主表面上に形成された第1導電型の第1非単結晶半導体層と、
前記基板の主表面上に形成された第2導電型の第2非単結晶半導体層と、
前記第1非単結晶半導体層と前記第2非単結晶半導体層との間に形成され、実質的に真性な第3非単結晶半導体層とを備え、
前記第1非単結晶半導体層および前記第2非単結晶半導体層の少なくともいずれか一方の半導体層と、前記第3非単結晶半導体層との界面部分において、前記第3非単結晶半導体層に含まれる結晶粒の長径方向が、前記基板の主表面に対して実質的に垂直な方向であり、前記界面部分において前記一方の半導体層に含まれる結晶粒の長径方向が、前記基板の主表面に対して実質的に平行な方向である、光電変換装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051CA04
, 5F051CA15
, 5F051CA37
, 5F051DA04
