特許

J-GLOBAL ID：200903021675633919

半導体光素子

発明者： 荒川 泰彦 ,  硴塚 孝明 ,  吉國 裕三 ,  斎藤 敏夫 ,  中岡 俊裕 ,  江部 広治 ,  菅原 充
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (3件)： 光石 俊郎 ,  光石 忠敬 ,  田中 康幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282426
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119768
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】広い波長帯域の光増幅機能を有する半導体光素子を提供することにある。【解決手段】電流注入による光増幅機能及び発光機能を有する活性層を備えた半導体光素子において、前記活性層は量子ドット活性層4を有し、前記量子ドットは活性層4内の位置により歪量が変化していることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電流注入による光増幅機能及び発光機能を有する活性層を備えた半導体光素子において、前記活性層は量子ドット活性層を有し、前記量子ドットは活性層内の位置により歪量が変化していることを特徴とする半導体光素子。

IPC (1件)：

H01S5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (9件)：

5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA75 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073BA01 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-278766   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-063442   出願人：富士通株式会社
• 量子ドットを備えた素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-371061   出願人：富士通株式会社
• 自己形成量子ドットを用いた半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-112845   出願人：富士通株式会社