特許
J-GLOBAL ID：200903021683289852
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238574
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057405
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 構成が簡単で、しきい値電流が低く、電流-光出力特性の温度特性の劣化の少ないリッジ導波路型DFB半導体レーザ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 n-InP半導体基板12の上に順次配設されたn-InPクラッド層14と、AlGaInAs系材料の活性層16と、p-InPの第1p型クラッド層18と、この第11p型クラッド層18の上にリッジ状に配設されp-InPの第21pクラッド層24と回折格子層26とこの回折格子層26を埋設するp-InPの第3pクラッド層28とを有する導波路層22と、を備えたものである。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に配設された第1導電型の第1クラッド層と、この第1クラッド層の上に配設された活性層と、この活性層の上に配設された第2導電型の第1の第2クラッド層と、この第1の第2クラッド層の上に光の導波方向に延長されたリッジ状に配設され、第2導電型の第2の第2クラッド層とこの第2の第2クラッド層の上に配設され一方の主面が上記光の導波方向に所定の周期で変化する凹凸を有する回折格子層とこの回折格子層の上に配設され前記回折格子層を埋設する第2導電型の第3の第2クラッド層とを有する導波路層と、を備えた半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/12
, H01S 5/22
, H01S 5/343
H01S 5/12
, H01S 5/22
, H01S 5/343
5F073AA11
, 5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA15
, 5F073DA05
, 5F073DA24
, 5F073EA23
, 5F073EA28
