研磨剤及びスラリー

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-335116
公開番号（公開出願番号）：特開2007-129249
出願日： 2006年12月12日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】SiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能な研磨剤を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子が媒体に分散したスラリーを含み、酸化セリウム粒子は2個以上の結晶子から構成され結晶粒界を有する酸化セリウム粒子を含み、結晶粒界を有する酸化セリウム粒子は気孔を有し、この粒子径の中央値は60〜1500nm、酸化セリウム粒子を構成する結晶子径の中央値が5〜250nmである半導体基板研磨に使用される研磨剤である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子が媒体に分散したスラリーを含む研磨剤であって、前記酸化セリウム粒子は2個以上の結晶子から構成され結晶粒界を有する酸化セリウム粒子を含み、前記結晶粒界を有する酸化セリウム粒子は気孔を有し、前記結晶粒界を有する酸化セリウム粒子の粒子径の中央値が60〜1500nmであり、前記結晶粒界を有する酸化セリウム粒子を構成する結晶子径の中央値が5〜250nmである半導体基板研磨に使用される研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 622B , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z

Fターム (7件)：

3C058AA07 , 3C058CA05 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

結晶性酸化第二セリウムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-155997 出願人：日産化学工業株式会社
研磨材及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-272761 出願人：三井金属鉱業株式会社
酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-077814 出願人：日立化成工業株式会社, 株式会社日立製作所

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