特許
J-GLOBAL ID：200903069411874325
酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077814
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270402
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【目的】 グローバルな平坦化が可能な絶縁膜層を高速に研磨するために好適な酸化セリウム研磨剤及びその酸化セリウム研磨剤を使用する基板の製造法を提供する。【構成】(1)3価の水に溶解しないセリウム化合物を水中に分散後固体状態のままで酸化処理を施した後、400°C以上で処理する、(2)3価の水溶性のセリウム化合物を溶解させた水溶液に炭酸水素アンモニウム等を添加して得られる非水溶性セリウム化合物(沈殿物)に酸化剤を滴下するで酸化処理を施した後、400°C以上で処理する、(3)4価のセリウム化合物を溶解させた水溶液にアンモニア水を添加する等により水溶液を中性、アルカリ性にして得られる非水溶性セリウム化合物を400°C以上で処理することにより得られた酸化セリウム粒子を水中に分散させたスラリーよりなる酸化セリウム研磨剤。所定の基板に形成された絶縁膜層を酸化セリウム研磨剤で研磨して基板を製造法する。
請求項（抜粋）：
酸化セリウム粒子を水中に分散させたスラリーを含む、所定の基板上に設けられた絶縁膜層を研磨する酸化セリウム研磨剤。
IPC (6件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24D 3/12
, C01F 17/00
, C09C 1/68 PAA
, H01L 21/768
H01L 21/304 321 P
, H01L 21/304 321 M
, B24D 3/12
, C01F 17/00 A
, C09C 1/68 PAA
, H01L 21/90 P
