特許
J-GLOBAL ID:200903021792114477

X線リソグラフィ用マスクメンブレンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 亮一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-066842
公開番号(公開出願番号):特開平9-260251
出願日: 1996年03月22日
公開日(公表日): 1997年10月03日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 高い可視光透過率を有し、膜厚分布、応力分布の面内均一性が極めて高いダイヤモンドメンブレンを得る。【解決手段】 シリコン基板上に気相合成ダイヤモンドより成るメンブレンを製膜するX線リソグラフィ用マスクメンブレンの製造方法において、製膜前のシリコン基板を、ガスにより流動化されたダイヤモンド粒子に接触させることを特徴とするX線リソグラフィ用マスクメンブレンの製造方法。
請求項(抜粋):
シリコン基板上に気相合成ダイヤモンドより成るメンブレンを製膜するX線リソグラフィ用マスクメンブレンの製造方法において、製膜前のシリコン基板を、ガスにより流動化されたダイヤモンド粒子に接触させることを特徴とするX線リソグラフィ用マスクメンブレンの製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  C30B 29/04
FI (2件):
H01L 21/30 531 M ,  C30B 29/04 Q
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (2件)

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