特許
J-GLOBAL ID：200903021812364173

セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール

発明者：
今村 寿之

今村 寿之 について

, 
手島 博之

手島 博之 について

, 
渡辺 純一

渡辺 純一 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


代理人 (2件)： 筒井 大和 ,  小塚 善高
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-040920
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228969
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】 異種材料の積層構造を有するセラミックス回路基板の熱的挙動を把握する技術を用いて、回路パターン形成用金属板、放熱用金属板としてCu材を使用したセラミックス回路基板技術を提供する。【解決手段】 セラミックス回路基板10は、窒化珪素板(Si3N4板)11a等の絶縁層として機能するセラミックス基板11と、セラミックス基板11の一方の面にろう材を介して接合された回路パターン形成用金属板12と、セラミックス基板11の他方の面にろう材を介して接合された放熱用金属板13とを有している。かかる構成のセラミックス回路基板11は、見掛けの熱膨張係数が、8ppm/k以上、14ppm/kの範囲になるように制御されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の一方の面に回路パターン形成用金属板が設けられ、前記セラミックス基板の他方の面に放熱用金属板が設けられたセラミックス回路基板であって、 前記回路パターン形成用金属板は、CuまたはCu合金で形成され、 前記放熱用金属板は、CuまたはCu合金で形成され、 前記セラミックス基板、前記回路パターン形成用金属板、前記放熱用金属板の各々のヤング率、線膨張率、板厚に基づき算出される前記セラミックス回路基板の見掛けの熱膨張係数が、8ppm/k以上、14ppm/k以下であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (4件)：
H05K 1/03 ,  H05K 1/02 ,  H01L 23/13 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H05K1/03 610D ,  H05K1/02 F ,  H01L23/12 C ,  H01L23/12 J
Fターム (5件)：
5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338BB75 ,  5E338BB80 ,  5E338EE02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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