特許
J-GLOBAL ID：200903021823930464

半導体発光素子

発明者：
今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

, 
古屋 貴士

古屋 貴士 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-284988
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103534
出願日： 2006年10月19日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：
【課題】活性層の層厚を厚くすることなく、半導体層を厚くすることなく、第一電極の面積を大きくすることなく、電流分散特性を向上させる半導体発光素子を提供する。【解決手段】第一、第二導電型クラッド層2,3と活性層4を有する半導体発光素子1において、第一導電型クラッド層2と活性層4の間、活性層4と第二導電型クラッド層3の間のそれぞれに上記光に対して透明であり、かつ、バンドキャップが活性層4より大きく、かつ、活性層4と格子整合する多層膜層9,10が設けられた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第一、第二導電型クラッド層及びこれら第一、第二導電型クラッド層に挟まれ光を発生する活性層を含む複数のAlGaInP系半導体層と、第一導電型クラッド層側の主面を部分的に覆う第一電極と、第二導電型クラッド層側の反対面を覆う第二電極と、第二導電型クラッド層と第二電極との間で上記光を反射する反射金属膜層とを有する半導体発光素子において、第一導電型クラッド層と活性層の間、活性層と第二導電型クラッド層の間のいずれか又はそれぞれに上記光に対して透明であり、かつ、バンドキャップが活性層より大きく、かつ、活性層と格子整合する多層膜層が設けられたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (20件)：
5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041AA31 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB04 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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