特許

J-GLOBAL ID：200903072630676904

半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子

発明者： 今野 泰一郎 ,  新井 優洋 ,  柴田 憲治
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-324717
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135214
出願日： 2004年11月09日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】第二導電型クラッド層6のZnがアンドープ活性層5中に拡散することを抑止し、且つ抑止層の膜厚を薄くして、高出力、高信頼性、且つ低コストの半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】第一導電型基板1上に、第一導電型クラッド層4、アンドープ活性層5、第二導電型クラッド層6、更に第二導電型電流分散層7が順次積層された半導体発光素子において、第二導電型クラッド層6とアンドープ活性層5の間に、活性層5で発光した光に対して透明な材料を2種類以上設け、且つ前記材料を各々1層ずつ交互に重ねて計2層以上形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一導電型基板上に、第一導電型クラッド層、アンドープ活性層、第二導電型クラッド層、更に第二導電型電流分散層が順次積層された半導体発光素子において、 第二導電型クラッド層とアンドープ活性層の間に、アンドープ活性層で発光した光に対して透明な材料を2種類以上設け、且つ前記材料を各々1層ずつ交互に重ねて計2層以上形成したことを特徴とする半導体発光素子用エピタキシャルウェハ。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (12件)：

5F041AA04 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA53 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128311   出願人：シャープ株式会社
• 発光ダイオード及びその製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-379403   出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-265696   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329024   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-070859   出願人：シャープ株式会社
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-325053   出願人：古河電気工業株式会社