特許
J-GLOBAL ID：200903021824184715

半導体装置

発明者：
本郷 廣生

本郷 廣生 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-233289
公開番号（公開出願番号）：特開2009-065057
出願日： 2007年09月07日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】有機・カーボンナノチューブ表示装置において、オフ動作時の漏れ電流を抑制しつつ、画素エリア・バス配線幅の縮小を抑制する。【解決手段】本発明に係る電界効果型トランジスタは、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、ゲートとゲート絶縁層を介して接しているカーボンナノチューブ1がn型またはp型にドーピングされて、ソースおよびドレイン電極と接触しているカーボンナノチューブ2がカーボンナノチューブ1とは相補的にドーピングされていることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタにおいて、 ドレイン電極とソース電極が複数のカーボンナノチューブで直列に接続されていて、 ゲートとゲート絶縁層を介して接している第1のカーボンナノチューブがn型またはp型にドーピングされて、 前記ソース電極および前記ドレイン電極と接触している第2のカーボンナノチューブが、第1のカーボンナノチューブとは相補的にドーピングされていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/28
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L27/08 321B ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/06 601N ,  H01L27/08 321E ,  H01L21/28 301B
Fターム (75件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD64 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F048AA07 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC15 ,  5F048BF07 ,  5F110AA07 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HM12 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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