特許

J-GLOBAL ID：200903021893234783

GaN系半導体発光素子

発明者： 田中 悟 ,  青柳 克信 ,  大内 洋一郎 ,  岡川 広明 ,  只友 一行
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社 ,  理化学研究所 ,  田中 悟
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-156104
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354842
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 GaN系発光素子のための量子ドットの最適な態様を示し、より高効率なGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】 アンチサーファクタントの作用によってGaN系結晶層A上にGaN系の量子ドットdを形成し、さらに該量子ドットdを埋め込むまで前記層A上にGaN系結晶層Bを成長させてGaN系の量子ドット構造3を構成し、これを発光に係る部分としてGaN系半導体発光素子を形成する。このとき、結晶層Aおよび結晶層Bのバンドギャップを、量子ドットのバンドギャップよりも大きいものとし、個々の量子ドットの高さh、幅w、結晶層Aの上面における量子ドットの分散の度合い(密度)ρを、0.5nm≦h≦50nm、0.5nm≦w≦200nm、106 cm-2≦ρ≦1013cm-2とする。

請求項（抜粋）：

量子ドット構造を発光に係る部分として有するGaN系半導体発光素子であって、前記量子ドット構造は、GaN系材料からなる結晶層(A)と、この層上面に分散して形成されたGaN系材料からなる量子ドットと、この量子ドットを埋め込んで前記層上に成長したGaN系材料からなる結晶層(B)とを有する構造であり、結晶層(A)および結晶層(B)の材料の各々のバンドギャップは、量子ドットの材料のバンドギャップよりも大きく、各層の層厚方向についての各々の量子ドットの寸法を高さhとし、各層の拡がる方向についての各々の量子ドットの寸法を幅wとし、結晶層(A)の上面における量子ドットの分散の度合いを密度ρとして、0.5nm≦h≦50nm、0.5nm≦w≦200nm、106 cm-2≦ρ≦1013cm-2、であることを特徴とするGaN系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233442   出願人：理化学研究所, 田中悟
• 窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-290218   出願人：日亜化学工業株式会社
• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-261044   出願人：昭和電工株式会社
• 光送受信装置および光通信ネットワーク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-078500   出願人：ソニー株式会社