特許
J-GLOBAL ID：200903021921810132

GaN系化合物半導体の製造方法とGaN系化合物半導体製造用アンモニアおよびその製造方法

発明者：
林田 英樹

林田 英樹 について

, 
伊藤 泰蔵

伊藤 泰蔵 について

, 
坂口 泰之

坂口 泰之 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-210584
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363622
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】 本発明は、発光特性に優れたGaN系化合物半導体を確実に製造することができるGaN系化合物半導体の製造方法の提供、並びにそれに用いるアンモニアとその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】 充填容器18内に少なくとも一部が液体となるように充填され、該液相のアンモニア中の水分濃度がフーリエ変換赤外分光法(FT-IR)で測定して0.5volppm以下とされたGaN系化合物半導体製造用アンモニアを、基板1を収容した反応室11内にガス状態で導入し、このアンモニアを原料として、GaN系化合物からなる層を基板1上に形成する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
充填容器内に少なくとも一部が液体となるように充填され、該液相のアンモニア中の水分濃度が、0.5volppm以下であることを特徴とするアンモニアを原料として、n型のGaN系化合物からなる層を基板上に形成することを特徴とするGaN系化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C
Fターム (28件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53
引用特許：
審査官引用 (7件)
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