特許
J-GLOBAL ID：200903021925596844
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 信一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-138858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335454
出願日： 1997年05月28日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 絶縁層の比誘電率を従来に比べて低減することを可能にした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に絶縁層2,4,7を介して導電層からなる下層配線3a〜3c及び上層配線6a,6bを設けた半導体装置の製造方法において、無機及び/又は有機樹脂を溶解した溶液を半導体基板1上に塗布し、この樹脂を固化させて絶縁層4を形成すると共に、その硬化開始以降に絶縁層4内でガスを発生せしめて絶縁層4を低密度化することにより、絶縁層4の比誘電率を2.7未満にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に二酸化ケイ素を主体とする材料から構成された絶縁層を介して少なくとも1層の導電層からなる配線構造を設けた半導体装置において、前記絶縁層を低密度化し、該絶縁層の比誘電率を2.7未満に規制したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/312
H01L 21/90 V
, H01L 21/312 C
, H01L 21/90 P
