特許
J-GLOBAL ID：200903021940499170

半導体装置及びその製造方法

発明者：
黒田 英明

黒田 英明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358126
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200065
出願日： 1996年12月29日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】周辺回路部における層間絶縁膜を薄くし、コンタクト径を小さくできるCOB型DRAM等の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜に掘られた配線用溝を埋める埋込配線層と、層間絶縁膜を貫通し該埋込配線層とその下方の接続領域とを接続する導電性プラグと、配線層を覆う層間絶縁膜とを有する構造とする。この埋込配線層は、層間絶縁膜に配線用溝を形成し、配線用溝を導電性材料で埋め、配線用溝を埋めた導電性材料中に予備コンタクト孔を形成し、予備コンタクト孔内壁に導電性材料で構成されるサイドウオールを形成し、サイドウオールをマスクとしてコンタクト孔を層間絶縁膜に開口し、コンタクト孔を導電性材料で埋め込み、層間絶縁膜と配線用溝を埋める導電性材料を平坦化して埋込配線層を形成し、埋込配線層を被覆する層間絶縁膜を形成することにより形成できる。
請求項（抜粋）：
層間絶縁膜に掘られた配線用溝を埋める埋込配線層と、該層間絶縁膜を貫通し該埋込配線層とその下方の接続領域とを接続する導電性プラグと、該配線層を覆う層間絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/90 D ,  H01L 27/10 681 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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