特許
J-GLOBAL ID:200903021966838046

磁気抵抗効果素子の製造方法、及び磁気抵抗効果センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 勇
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-305909
公開番号(公開出願番号):特開平11-145529
出願日: 1997年11月07日
公開日(公表日): 1999年05月28日
要約:
【要約】【課題】 抵抗変化率が高く、かつ耐熱性を向上させる。【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、基体100上に、下地層101、第1フリー磁性層102、非磁性層104、MRエンハンス層105、固定磁性層106、反強磁性層107、及び保護層108を順次積層した構造である。磁性層、非磁性層及び磁性層の部分を成膜する直前に、チャンバー内のH2 Oの分圧を1×10-7〔Torr〕以下にする、チャンバー内において四重極管質量分析装置により得られる原子量18に相当する検出電流値を1×10-10 〔A〕以下にする、又はチャンバー内の真空度(背圧)を1×10-7〔Torr〕以下にすることにより、磁気抵抗変化率が高く、しかも抵抗変化率の耐熱性に優れた、磁気抵抗変化素子及び磁気抵抗効果センサを得ることができる。
請求項(抜粋):
磁性層、非磁性層、磁性層及び反強磁性層がこの順又はこの逆の順に積層された基本構成を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、チャンバー内のH2 Oの分圧を1×10-7〔Torr〕以下にした後に、前記磁性層、非磁性層及び磁性層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (3件):
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18
FI (3件):
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 磁気抵抗効果素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-331923   出願人:株式会社東芝
  • 磁気抵抗効果素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-296063   出願人:株式会社東芝
  • 磁気抵抗効果素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-202893   出願人:株式会社東芝
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