特許
J-GLOBAL ID：200903022011394476

3軸磁気センサ

発明者：
涌井 幸夫

涌井 幸夫 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-095285
公開番号（公開出願番号）：特開2006-275764
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 同一基板上に少なくとも1個のホール素子と複数個の磁気抵抗素子、特に巨大磁気抵抗素子(GMR素子)を併設した3軸磁気センサであり、ホール素子を、GMR素子のバイアス磁石の磁界の影響を受けない、GMR素子から離間した位置に設けた、小型で簡便な構造の3軸磁気センサとその製法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に、X軸方向およびY軸方向に感知軸を持つGMR素子9を設け、GMR素子9より、X-Y平面方向およびZ軸方向に離間した位置、すなわちGMR素子のバイアス磁石の磁界が互いに打ち消される位置に、Z軸方向に感知軸を持つホール素子7を設けることにより、3軸方向の磁場を検知できるセンサとなる。ホール素子7をトランジスタ2と同時に形成し、ホール素子検査用コイル8を配線層3と同時に形成するため、小型で組み立てが簡便な3軸磁気センサとなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも1個のホール素子と複数個の磁気抵抗効果素子とが、一つの基板に形成された3軸磁気センサであって、 基板に対して水平方向およびこれに垂直な方向に磁気抵抗効果素子から離間した位置にホール素子を設けたことを特徴とする3軸磁気センサ。
IPC (6件)：
G01R 33/07 ,  H01L 43/06 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 43/14 ,  G01R 33/09
FI (6件)：
G01R33/06 H ,  H01L43/06 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L43/14 ,  G01R33/06 R
Fターム (4件)：
2G017AA01 ,  2G017AC09 ,  2G017AD53 ,  2G017AD55
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 実開昭63-150384号公報
審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Autocalibration Of Silicon Hall Devices

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