特許
J-GLOBAL ID：200903022048651380
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-207942
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035796
出願日： 1999年07月22日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体より高キャリア濃度のp型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する方法の提供。【解決手段】 気相成長法によりp型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金の存在下に熱処理して、p型不純物を活性化し、これによって、高キャリア濃度のp型窒化ガリウム系化合物半導体を得る。
請求項（抜粋）：
気相成長法によって、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を形成し、得られたp型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金と共に熱処理することを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
Fターム (15件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AD11
, 5F045AE19
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA66
, 5F045EM02
, 5F045EM08
, 5F045EM09
, 5F045HA16
, 5F045HA23
