特許
J-GLOBAL ID：200903062472036620

光電変換装置及びそれを用いたX線検出装置

発明者：
田代 和昭

田代 和昭 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208368
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158253
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：
【要約】【課題】 パターン精度や、歩留を確保しつつ、開口率を稼ぐことにより、感度をより向上させた光電変換装置を、簡単な工程で、低コストで実現する。【解決手段】 基板上にMIS型センサS11と薄膜トランジスタT11を組み合わせて二次元の光電変換装置を形成する。また、薄膜トランジスタT11上にMIS型センサS11を積層して設け、MIS型センサの半導体層507が薄膜トランジスタ上に延在する。この構成により、画素一杯の面積を窓として利用することで開口率を向上でき、工程の簡略化を行うことができる。
請求項（抜粋）：
基板上にMIS型センサと薄膜トランジスタを組み合わせて形成した2二次元の光電変換装置であって、前記薄膜トランジスタ上に前記MIS型センサが積層して設けられ、前記MIS型センサの半導体層が前記薄膜トランジスタ上に延在していることを特徴とする光電変換装置。
IPC (5件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/32
FI (5件)：
H04N 5/32 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 613 Z
Fターム (67件)：
4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA04 ,  4M118BA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CA11 ,  4M118CB06 ,  4M118CB14 ,  4M118DD02 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA21 ,  4M118HA22 ,  4M118HA26 ,  5C024AX11 ,  5C024CX41 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31 ,  5F049MA15 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA01 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049PA05 ,  5F049PA07 ,  5F049PA14 ,  5F049QA09 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049SS01 ,  5F049UA01 ,  5F049UA20 ,  5F049WA07 ,  5F110AA30 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD14 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK35 ,  5F110HL03 ,  5F110HM12 ,  5F110HM20 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ23
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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