銅配線膜形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-085757
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282572
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】銅配線形成方法において、密着性の改善に有効なCuシード膜のアニール処理を行っても、半導体基板上のホールやトレンチパターンの上角部(開口部近傍)といった基板表面において、Cuシード膜が弾かれその下の拡散バリア用下地膜が露出する現象を起こさずにアニール処理が行える方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上に拡散バリア用下地膜を形成し、さらにその上にCVD法によって、第1の銅膜が形成される工程と、当該第1の銅膜を電極とした電解メッキ法により第2の銅膜が形成される銅配線膜形成方法において、前記拡散バリア用下地膜を形成する工程と第1の銅膜形成工程の間に、当該拡散バリア用下地膜を、到達真空度で1×10-4Pa以下の真空状態にしてから加熱する工程が設けられていることを特徴とする銅配線膜形成方法によって課題を解決した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上に拡散バリア用下地膜を形成し、さらにその上にCVD法によって、第1の銅膜が形成される工程と、当該第1の銅膜を電極とした電解メッキ法により第2の銅膜が形成される銅配線膜形成方法において、前記拡散バリア用下地膜を形成する工程と第1の銅膜形成工程の間に、当該拡散バリア用下地膜を、到達真空度で1×10-4Pa以下の真空状態にしてから加熱する工程が設けられていることを特徴とする銅配線膜形成方法。

FI (2件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 R

Fターム (20件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP02 , 5F033PP11 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ73 , 5F033QQ85 , 5F033RR21 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033XX13 , 5F033XX24

引用特許：

審査官引用 (4件)

配線の形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-041807 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-327914 出願人：日本電気株式会社
Cu配線膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-135591 出願人：アネルバ株式会社

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