特許
J-GLOBAL ID：200903022110492170

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
松本 宗之

松本 宗之 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133250
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330223
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 素子分離を十分に行なうことができ、かつ、設計の自由度の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 素子分離用の凹部34に、深さの深い凹部32aと浅い凹部28とを混在させて設けるようにしている。したがって、凹部34の内部および外部に、シリコン酸化物層36を堆積させたとき、シリコン酸化物層36の上面の凹凸を小さくすることができる。このため、シリコン酸化物層36を上面から研磨して凹部34の外部にあるシリコン酸化物層36を除去することにより素子分離用絶縁膜36aを形成する際、当該素子分離用絶縁膜36aの上部が大きくえぐりとられることはない。また、素子分離用絶縁膜36aの表面に露出するようなダミーの突起を設けないので、この上に設ける配線や半導体素子のレイアウトが制限されることはない。
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられた半導体層の上部に部分的に素子分離用絶縁膜を形成する方法であって、半導体層の上部に素子分離用凹部を形成し、素子分離用凹部の内部および外部に、素子分離用絶縁膜を形成するための層を形成し、素子分離用絶縁膜を形成するための層を上面から研磨して当該層のうち素子分離用凹部の外部にある部分を除去することによって、実質的に素子分離用凹部の内部に素子分離用絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、素子分離用凹部を形成する際、深さの深い部分と浅い部分とを混在させて形成すること、を特徴とする、半導体装置の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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