特許
J-GLOBAL ID：200903022185986305

膜パターンの形成方法、デバイス、電気光学装置、電子機器、及びアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者：
平井 利充

平井 利充 について

, 
守屋 克之

守屋 克之 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080304
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053334
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】幅の異なる幾つかの領域を有するパターン形成領域に機能液を配置する場合等において、形成される膜パターン間での膜厚さを無くした該膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、基板18上に第1バンク層35と第2バンク層36とを積層形成する工程と、前記第1バンク層35及び第2バンク層36をパターニングすることで、第1のパターン形成領域56と、該第1のパターン形成領域56に連続し、かつ該第1のパターン形成領域56より幅が広い第2のパターン形成領域55とからなるパターン形成領域13を有するバンク34を形成する工程と、を有し、前記第1バンク層35、第2バンク層36の形成材料がいずれもシロキサン結合を主鎖としてなる材料であり、前記第2バンク層の形成材料が、側鎖にフッ素結合を有する材料であることを特徴としている。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に設けられたバンクによって区画されたパターン形成領域に、機能液を配置して膜パターンを形成する方法において、 基板上に第1のバンク形成材料を配置して第1バンク層を形成する工程と、 前記第1バンク層上に第2のバンク形成材料を配置して第2バンク層を形成する工程と、 前記第1バンク層及び第2バンク層をパターニングすることで、第1のパターン形成領域と、該第1のパターン形成領域に連続し、かつ該第1のパターン形成領域より幅が広い第2のパターン形成領域とからなるパターン形成領域を有するバンクを形成する工程と、を有し、 前記第1のバンク形成材料及び第2のバンク形成材料が、いずれもシロキサン結合を主鎖としてなる材料であり、前記第2のバンク形成材料が、側鎖にフッ素結合を有する材料であることを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (10件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/417 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H01L 51/50
FI (12件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/50 M ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H05B33/14 A
Fターム (83件)：
2H092GA11 ,  2H092GA31 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB01 ,  2H092JB21 ,  2H092JB56 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092MA01 ,  2H092NA11 ,  2H092NA27 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC33 ,  3K107CC45 ,  3K107DD89 ,  3K107EE03 ,  3K107FF09 ,  3K107GG08 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD51 ,  4M104EE06 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033MM04 ,  5F033MM13 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033VV15 ,  5F033XX28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK09 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110NN02 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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