特許

J-GLOBAL ID：200903015797291784

パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 平井 利充 ,  御子柴 俊明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-124211
公開番号（公開出願番号）：特開2005-012181
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】 細い線状のパターンを、精度よく安定して形成することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板P上にバンクBを形成する工程と、バンクBによって区画された領域Aに機能液Lを配置する工程とを有する。バンクBによって区画された領域Aは、部分的に幅が広く形成されている(幅広部As)。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

機能液を基板上に配置して所定のパターンを形成する方法であって、 前記基板上にバンクを形成する工程と、前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程とを有し、 前記バンクによって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (8件)：

H01L21/288 ,  B05D1/26 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (8件)：

H01L21/288 Z ,  B05D1/26 Z ,  G09F9/30 338 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 612D ,  H01L21/88 B

Fターム (108件)：

3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4D075AC06 ,  4D075AC73 ,  4D075AC92 ,  4D075CA22 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC24 ,  4D075EC02 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104FF11 ,  4M104GG08 ,  4M104HH14 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DB04 ,  5C094FB04 ,  5C094GB10 ,  5C094HA03 ,  5C094HA08 ,  5F033GG00 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH28 ,  5F033HH35 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK00 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK28 ,  5F033MM01 ,  5F033MM21 ,  5F033MM23 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F110AA04 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK09 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL14 ,  5F110HL26 ,  5F110NN02 ,  5F110NN12 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-078149   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 積層型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-017134   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (6件)

• 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197801   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 素子製造方法および素子製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-236369   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-088242   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置における配線パターン構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-129041   出願人：沖電気工業株式会社
• マトリクス形液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-223778   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置および光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-142008   出願人：キヤノン株式会社