特許
J-GLOBAL ID:200903038865377706
膜パターン形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-112064
公開番号(公開出願番号):特開2005-013985
出願日: 2004年04月06日
公開日(公表日): 2005年01月20日
要約:
【課題】 細化や細線化が図られた膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】 基板P上にバンクBを形成する工程と、バンクBによって区画された領域に機能液Lを配置する工程と、基板P上に配置された機能液Lを乾燥させて膜パターンFを形成する工程とを有する。バンクBの形成材料は、無機質の材料を含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
機能液を基板上に配置して膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上にバンクを形成する工程と、
前記バンクによって区画された領域に前記機能液を配置する工程と、
前記基板上に配置された前記機能液を乾燥させる工程とを有し、
前記バンクの形成材料は、無機質の材料を含むことを特徴とする膜パターン形成方法。
IPC (9件):
B05D1/26
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, G09F9/00
, H01L21/288
, H01L21/3205
, H01L21/336
, H01L29/786
, H05B33/14
FI (9件):
B05D1/26 Z
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, G09F9/00 338
, H01L21/288 Z
, H05B33/14 A
, H01L21/88 B
, H01L29/78 617J
, H01L29/78 616K
Fターム (107件):
2H092GA51
, 2H092GA60
, 2H092JA26
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB01
, 2H092JB21
, 2H092JB61
, 2H092KA05
, 2H092KA12
, 2H092KB01
, 2H092MA07
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA22
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092PA01
, 2H092PA13
, 2H092QA07
, 2H092QA10
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA00
, 4D075AC06
, 4D075AC92
, 4D075AC93
, 4D075BB24Z
, 4D075BB42Z
, 4D075CA22
, 4D075CA23
, 4D075DA06
, 4D075DC21
, 4D075DC24
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB28
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104DD80
, 4M104DD81
, 4M104GG20
, 4M104HH14
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH28
, 5F033HH40
, 5F033PP26
, 5F033QQ73
, 5F033QQ82
, 5F033QQ83
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033XX03
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE05
, 5F110EE23
, 5F110EE42
, 5F110FF03
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG45
, 5F110HK02
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK32
, 5F110HK35
, 5F110NN02
, 5F110NN12
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN72
, 5F110QQ01
, 5F110QQ09
, 5G435AA17
, 5G435BB05
, 5G435BB06
, 5G435BB12
, 5G435CC09
, 5G435KK05
, 5G435KK10
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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