特許
J-GLOBAL ID：200903022211682611

半導体装置およびその製造方法

発明者：
冨田 和朗

冨田 和朗 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-355645
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176959
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板12の素子分離にトレンチ型分離酸化膜13を用いた半導体装置において、分離酸化膜13aをCMP法で研磨する際の研磨速度の均一性を向上して表面平坦性の良好な半導体装置を得る。【解決手段】 分離領域10内に、ダミーのアクティブ領域となる大小2種のダミーパターン11を設け、本番パターン9から遠方位置に大きなダミーパターン11bを配置し、本番パターン9周辺にできた隙間に小さなダミーパターン11aを規則的に配列して配置する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に電気的アクティブデバイス領域と、CMP法を用いて表面研磨したトレンチ型分離酸化膜から成る分離領域とが形成された半導体装置において、上記トレンチ型分離酸化膜パターンが所定の幅を超えて大きくならないように、該トレンチ型分離酸化膜パターンに囲まれるダミーのアクティブ領域となる面積の異なる複数種のダミーパターンを上記分離領域内に備え、該ダミーパターンを上記電気的アクティブデバイス領域のパターンとの位置関係に応じて面積を設定して規則的に配列したことを特徴とする半導体装置。
Fターム (9件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032BA01 ,  5F032CA23 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA78
引用特許：
審査官引用 (4件)
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