転写マスク

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤村康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323119
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185481
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】高精度の開口パターンを有する転写マスクを容易かつ安定的に低コストで製造できる転写マスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板表面に形成された導電層2と、基板裏面を加工して形成された支持枠部と該支持枠部に支持された薄膜部と、該薄膜部に形成された貫通孔と、を含む転写マスクにおいて、前記導電層2は、金属元素の実密度が6g/ccより大きく、電気抵抗率が60μΩ・cm(at25°C)より小さく、熱伝導度が0.04cal/cm/cm2/sec/°Cより大きく、かつ、磁性を帯びておらず、ドライエッチングが可能な導電性材料で構成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電子線照射時のマスクの放熱特性や耐久性の向上を図る目的で転写マスク上に形成される金属導電層に関し、前記導電層は、金属元素の実密度が6g/ccより大きく、電気抵抗率が60μΩ・cm(at25°C)より小さく、熱伝導度が0.04cal/cm/cm2/sec/°Cより大きく、かつ、磁性を帯びておらず、ドライエッチングが可能な導電性材料で構成されていることを特徴とする転写マスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , H01L 21/467

FI (3件)：

G03F 1/16 B , H01L 21/467 , H01L 21/30 541 S

引用特許：

審査官引用 (10件)

荷電ビーム描画装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-286683 出願人：株式会社東芝
透過マスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-028308 出願人：富士通株式会社
特開平4-188645

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