化合物半導体基板の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：久保山隆 , 中山亨 , 榎本雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-365736
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129825
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】放熱性に優れる化合物半導体基板を、従来より簡便に製造する方法を提供する。【解決手段】次の工程を含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。(ア)元基板上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長させて得られた化合物半導体層基板のエピタキシャル成長面に支持基板を仮接着する工程。(イ)該元基板の全部および該元基板近傍の該化合物半導体機能層の一部を研磨により除去する工程。(ウ)該化合物半導体層基板の工程(イ)により露出した化合物半導体機能層に、熱伝導度が該元基板より大きい物質からなる高熱伝導基板を接着する工程。(エ)エピタキシャル成長面に仮接着された該支持基板を分離除去する工程。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

次の工程を含むことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 (ア)元基板上に化合物半導体機能層をエピタキシャル成長させて得られた化合物半導体層基板のエピタキシャル成長面に支持基板を仮接着する工程。 (イ)該元基板の全部および該元基板近傍の該化合物半導体機能層の一部を研磨により除去する工程。 (ウ)該化合物半導体層基板の工程(イ)により露出した化合物半導体機能層に、熱伝導度が該元基板より大きい物質からなる高熱伝導基板を接着する工程。 (エ)エピタキシャル成長面に仮接着された該支持基板を分離除去する工程。

IPC (2件)：

H01L21/331 , H01L29/737

FI (1件)：

H01L29/72 H

Fターム (10件)：

5F003AZ03 , 5F003AZ07 , 5F003BA92 , 5F003BE01 , 5F003BF06 , 5F003BH05 , 5F003BH08 , 5F003BH99 , 5F003BM02 , 5F003BP36

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-230747 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (5件)

複合型半導体積層構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-133044 出願人：日本電気株式会社
面発光型半導体レーザ装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-263080 出願人：古河電気工業株式会社
電子装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-012396 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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