非極性窒化ガリウム薄膜における転移の低減

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-586403
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522890
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

本発明は、半導体材料、方法、およびデバイスに関し、そしてより具体的には、非極性窒化ガリウム(GaN)薄層における転移低減に関する。本発明は、a-GaNにおけるスレッディング転移密度を、平面ヘテロエピタキシャル「シード」層の横方向過剰成長によって低減する。横方向過剰成長技術は、2つのMOCVD成長(最初のヘテロエピタキシャル成長および横方向過剰成長を構成する再成長)の間の処理工程を必要とする。第1に、薄いパターン化された誘電性マスクが、シード層に適用される。

請求項（抜粋）：

非極性のa平面窒化ガリウム薄膜において、螺旋転移密度を減少する方法であって、以下の工程 (a)非極性a平面窒化ガリウム薄膜上に誘電性再成長マスク堆積する工程; (b)堆積された該マスクをパターン化する工程;および (c)選択的な再成長を行い、該パターン化マスクに基づく過剰成長を達成する工程、を包含する、方法。

IPC (5件)：

H01L21/205 , C30B25/04 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/343

FI (5件)：

H01L21/205 , C30B25/04 , C30B29/38 D , H01L33/00 C , H01S5/343 610

Fターム (32件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077DB08 , 4G077EE06 , 4G077EE07 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 4G077TK08 , 4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BA44 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045DA67 , 5F045DB01 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP06 , 5F173AP19

引用特許：

審査官引用 (7件)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077245 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平3-003233
半導体発光素子の製造方法、半導体素子の製造方法、素子の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体層の成長方法および層の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-315704 出願人：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (2件)

前のページに戻る