特許
J-GLOBAL ID：200903022465776691

半導体集積回路

発明者：
中野 俊彦

中野 俊彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (2件)： 石川 泰男 ,  今井 孝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063721
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273834
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】半導体素子の局所的な温度上昇を防止することが可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】放熱セル2は、発熱セル1に対して隣接して配置され、電源電位配線3又は接地電位配線4と同じ第1配線層に放熱部材6及び放熱部材7を備え、さらに放熱部材6及び放熱部材7は、ビア9を介して第2配線層8に接続される。発熱セル1で発生した熱は、電源配線3、接地配線4に伝導し、放熱部材6及び放熱部材7で放熱される。また、放熱部材6及び放熱部材7からビア9を介して第2配線層8に熱が伝導することにより、更に放熱を促進し、発熱セル1が局部的に高温になることを防ぐ。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の半導体素子が形成される半導体集積回路において、 前記半導体素子間を接続する配線のうち、少なくともいずれか1の前記配線に接続される放熱セルを備え、 前記放熱セルは、前記配線に接続される前記半導体のうち少なくともいずれか1の前記半導体素子から発生した熱を放熱する放熱部材を有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
H01L21/82 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (4件)：
H01L21/82 W ,  H01L21/88 S ,  H01L27/04 H ,  H01L27/04 A
Fターム (28件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033UU04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV04 ,  5F033VV05 ,  5F033XX22 ,  5F038BH16 ,  5F038CA07 ,  5F038CA08 ,  5F038CD01 ,  5F038CD20 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ20 ,  5F064DD02 ,  5F064DD03 ,  5F064DD13 ,  5F064DD14 ,  5F064DD24 ,  5F064DD26 ,  5F064EE02 ,  5F064EE06 ,  5F064EE20 ,  5F064EE48 ,  5F064HH12
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM