不揮発性半導体記憶装置およびその書き込み方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：前田実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342804
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151286
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】大電流を必要とせず、電子の注入時間の増加が少なく、制御回路が複雑にならない半導体記憶装置を提供する。【解決手段】浮遊ゲートを有するメモリセルM1のドレインD側あるいはソースS側の少なくとも一方に、一定周期で発生されるパルス信号v1の立ち上がりおよび立ち下がりの少なくとも何れかに応じて切替を実施することにより、メモリセルにスパイク性の電流を供給するスイッチング手段TM1、TM2を設け、そのスイッチング手段TM1、TM2は、パルス信号v1の供給を受けて、メモリセルに電流を複数回供給することにより、メモリセルの浮遊ゲートに電子注入を実施する。

請求項（抜粋）：

浮遊ゲートを有するメモリセルのドレイン側あるいはソース側の少なくとも一方に、一定周期で発生されるパルス信号の立ち上がりおよび立ち下がりの少なくとも何れかに応じて切替を実施することにより、メモリセルに電流を供給するスイッチング手段を設け、前記スイッチング手段は、前記パルス信号の供給を受けて、前記メモリセルに前記電流を複数回供給することにより、メモリセルの浮遊ゲートに電子注入を実施することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 , G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E , G11C 17/00 634 F

Fターム (5件)：

5B025AA01 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD04 , 5B025AE00

引用特許：

審査官引用 (4件)

アナログおよびデジタル記憶用の電気的に書換え可能な不揮発性半導体メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-507740 出願人：インフォメーション・ストレジ・デバイシーズ・インコーポレーテッド
不揮発性半導体記憶装置の閾値制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-083488 出願人：日本鋼管株式会社
MOSFETトランジスタをトンネル効果プログラミングする方法及び回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-083262 出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ

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