Ag合金膜及びその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-041693
公開番号（公開出願番号）：特開2005-264329
出願日： 2005年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】反射率が高く、低抵抗で、より高い密着性を有するAg合金膜パターンを得ることができるAg合金膜及びその製造方法の提供。【解決手段】スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。第一薄膜が、Agに0.1〜4.0wt%のAu及び0.5〜10.0wt%のSnを添加してなるAg合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜が、Agに0.1〜4.0wt%のAu及び2.0wt%以下のSnを添加してなるAg合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

スパッタ成膜により第一の薄膜を形成する工程と、スパッタ成膜により該第一の薄膜上に第二の薄膜を形成する工程と、該第一及び第二の薄膜をエッチングする工程とを有するAg合金膜の製造方法であって、該第二の薄膜が該第一の薄膜に比べて反射率が高くかつ低抵抗であることを特徴とするAg合金膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C14/14 , C22C5/06

FI (2件)：

C23C14/14 G , C22C5/06 Z

Fターム (11件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA22 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD00 , 4K029BD09 , 4K029CA06 , 4K029DC04 , 4K029EA01 , 4K029EA03

引用特許：

出願人引用 (5件)

Ag合金薄膜電極、有機EL素子及びスパッタリング用ターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-242174 出願人：株式会社アルバック, 真空冶金株式会社
Ag合金反射膜、スパッタリングターゲットおよびAg合金薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-363648 出願人：株式会社アルバック, 真空冶金株式会社
Ag系膜を有する積層体及びAg系膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375288 出願人：株式会社アルバック

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審査官引用 (4件)

Ag合金反射膜、スパッタリングターゲットおよびAg合金薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-363648 出願人：株式会社アルバック, 真空冶金株式会社
Ag系膜を有する積層体及びAg系膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375288 出願人：株式会社アルバック
銀系の薄膜構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-244849 出願人：鐘淵化学工業株式会社

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