半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-225232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043872
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】集積度を損ねることとなく、電源投入直後から正常な動作が可能な半導体集積回路を得る。【解決手段】 NPNバイポーラトランジスタQ1は、コレクタが端子P1に接続され、エミッタが基準電圧源32の正極に接続される。一方、NPNバイポーラトランジスタQ2は、エミッタが端子P1に接続され、コレクタが基準電圧源32の正極に接続される。基準電圧源32は正極から基準電圧VREF2を付与し負極は接地される。キャパシタC1,抵抗R1及びR2からなる微分回路は、電源投入直後の所定期間(微分回路によって決定される時間)において、NPNバイポーラトランジスタQ1,Q2がオン状態となるベース電位を与え、所定時間経過後は接地レベルのベース電位を与えるように構成される。

請求項（抜粋）：

入力信号に基づきその電位が設定される端子を有し、該端子の電位に基づき所定の信号処理を行う信号処理部と、前記端子に接続され、電源投入直後の所定期間において前記端子を所定電位に向けて電位設定する電位設定回路とを備え、前記電位設定回路は、エミッタが前記端子に接続され、コレクタが前記所定電位を受ける第1のバイポーラトランジスタと、コレクタが前記端子に接続され、エミッタが前記所定電位を受ける第2のバイポーラトランジスタと、前記第1及び第2のバイポーラトランジスタに電源投入直後の前記所定期間、前記第1及び第2のバイポーラトランジスタがオン状態となるベース電位を供給するベース電位供給手段とを備える、半導体集積回路。

IPC (5件)：

H03F 3/45 , G05F 1/10 , G05F 1/10 303 , H01L 21/8222 , H01L 27/06

FI (4件)：

H03F 3/45 B , G05F 1/10 B , G05F 1/10 303 A , H01L 27/06 101 B

Fターム (27件)：

5F082BA02 , 5F082BC13 , 5F082BC15 , 5H410BB04 , 5H410CC02 , 5H410DD03 , 5H410EA12 , 5H410EB16 , 5H410EB39 , 5H410FF03 , 5H410FF25 , 5H410KK01 , 5J066AA01 , 5J066AA12 , 5J066CA00 , 5J066CA92 , 5J066FA01 , 5J066HA02 , 5J066HA08 , 5J066HA25 , 5J066HA29 , 5J066KA00 , 5J066KA03 , 5J066KA30 , 5J066MA11 , 5J066MA21 , 5J066QA02

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-336806
特開昭62-101105
特開昭62-101105

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