特許
J-GLOBAL ID：200903022798254480

基板処理方法及びその装置

発明者：
大澤 篤史

大澤 篤史 について

, 
田中 眞人

田中 眞人 について

, 
永見 宗三

永見 宗三 について


出願人/特許権者：
大日本スクリーン製造株式会社

大日本スクリーン製造株式会社 について


代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-074291
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273066
出願日： 2002年03月18日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 高誘電率材料を用いた基板を好適に処理することができる。【解決手段】 硫酸を含む処理液を加熱した上で処理に用いることにより、高誘電率材料を実用的な速度でエッチングすることができ、高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を好適に処理できる。その加熱温度は、100〜200°Cの範囲であることが好ましく、より好ましくは150〜180°Cの範囲である。また、硫酸濃度は96重量%程度であることが好ましい。
請求項（抜粋）：
硫酸を含む処理液を加熱し、この処理液で高誘電率材料を含む膜材料が被着された基板を処理することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 647
FI (2件)：
H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/306 D
Fターム (5件)：
5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043DD07 ,  5F043DD10 ,  5F043EE10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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