特許
J-GLOBAL ID：200903022823383656
面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-191856
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013366
出願日： 2004年06月29日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】 レーザ光の偏光方向を安定的に一定方向に制御することが可能なVCSELを提供する。【解決手段】 基板上に形成されたメサ構造10は、その内部に少なくとも活性層を含み、メサ構造10の頂部から基板と垂直方向にレーザ光を出射する。基板水平面20に対して垂直であり、かつ、メサ構造10のおおよそ中心を原点とする2つの直交する直交面(X面、Y面)が、メサ構造の側面と交わる交線をそれぞれLx1線、Lx2線、Ly1線、Ly2線とし、Lx1線、Lx2線、Ly1線、Ly2線が基板水平面とのなす角度をそれぞれ、Ax1、Ax2、Ay1、Ay2としたとき、少なくともAx1、Ax2、Ay1、Ay2のいずれか一つが異なる値とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第一導電型の第1の半導体多層膜反射鏡、第二導電型の第2の半導体多層膜反射鏡、第1および第2の半導体多層膜反射鏡の間に挟まれる活性層とを含み、かつ、基板上に形成されたメサ構造は、その内部に少なくとも活性層を含み、メサ構造の頂部から基板と垂直方向にレーザ光を出射する垂直共振器型の面発光型半導体レーザ装置であって、
基板水平面内に対して垂直であり、かつ、メサ構造のおおよそ中心を原点とする2つの直交する直交面(X面、Y面)が、メサ構造の側面と交わる交線をそれぞれLx1線、Lx2線、Ly1線、Ly2線とし、Lx1線、Lx2線、Ly1線、Ly2線が基板水平面とのなす角度をそれぞれ、Ax1、Ax2、Ay1、Ay2としたとき、少なくともAx1、Ax2、Ay1、Ay2のいずれか一つが異なる値であることを特徴とする垂直共振器型の面発光半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC26
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC48
, 5F173AC52
, 5F173AF92
, 5F173AH02
, 5F173AL07
, 5F173AL12
, 5F173AL21
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AP36
, 5F173AP42
, 5F173AP67
, 5F173AP71
, 5F173AP79
, 5F173AR43
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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