特許
J-GLOBAL ID：200903022855334720
半導体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092305
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284695
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 システムの小型化を妨げることなく、かつコストの増加および信頼性の低下を生じることなく戻り光に起因する雑音を低減することが可能な半導体レーザ装置を提供することである。【解決手段】 パッケージ2の内部にステム3が設けられ、ステム3の側面にサブマウント4が取り付けられ、サブマウント4上に半導体レーザ素子5が取り付けられる。パッケージ2の上面に開口部10が設けられている。開口部10に光アイソレータ6が取り付けられる。光アイソレータ6は偏光板7上にフォトニック結晶により構成されるλ/4板8が形成されてなる。
請求項（抜粋）：
光出射用の開口部を有するパッケージと、前記パッケージ内に収納され、前記開口部へ光を出射する半導体レーザ素子と、前記パッケージに設けられた光アイソレータとを備え、前記光アイソレータは、前記半導体レーザ素子から出射される光を直線偏光に変換する偏光板と、前記偏光板を透過した直線偏光を円偏光に変換する1/4波長板とが積層されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
2H049BA02
, 2H049BA07
, 2H049BA46
, 2H049BB02
, 2H049BC21
, 5F073AB15
, 5F073AB30
, 5F073BA06
, 5F073EA26
, 5F073FA11
, 5F073FA29
