特許
J-GLOBAL ID：200903098384651963

光集積素子及びその製造方法、並びに、光学式情報読み取り装置

発明者：
根本 和彦

根本 和彦 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133483
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321898
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】レーザーカプラーの光の出射方向を変えて、光ピックアップの超薄型化を実現する。【解決手段】レーザーダイオード(LD)2からのレーザー光を、ビームスプリッター3のビームスプリット(BS)面3aを透過させて、チップ1の表面に平行な方向に出射させる。従って、反射ミラーを使った1回の光路折り曲げにより、レーザーカプラーの厚み方向を利用した極めて薄型の光ピックアップが実現できる。また、LD2の出力制御(APC)をフロント側で行うべく、LD2から出射したレーザー光のうちBS面3aで反射した光をフォトダイオード等によりモニターするように構成することもできる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の主面上に設けられた発光素子と、前記基板の前記主面上に設けられ、且つ、前記発光素子に対向する側に、前記基板の前記主面に実質的に垂直な入射端面を有するとともに、前記入射端面と反対の側に入出射端面を有し、更に、前記入射端面と前記入出射端面との間に、前記基板の前記主面に対し傾斜したビームスプリット面を有するビームスプリッターと、前記ビームスプリット面と前記入出射端面との間の部分の前記ビームスプリッター下の前記基板の前記主面に設けられた光検出部と、を有する、光集積素子。
IPC (2件)：
H01L 31/12 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 31/12 E ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM