SOI基板の製造方法およびSOI基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138326
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058801
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 SOI層中の結晶欠陥サイズの小さいSOI基板、特にはSOI層の厚さが1ミクロン以下の薄膜SOI基板の製造方法およびSOI基板を低コスト、高生産性で提供する。【解決手段】二枚のシリコンウエーハのうち、少なくとも一方のシリコンウエーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、デバイス作製側ウエーハを所望厚さまで薄膜化するSOI基板の製造方法において、前記デバイス作製側ウエーハとして、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工したものを用いることを特徴とするSOI基板の製造方法およびこの方法で製造されたSOI基板。

請求項（抜粋）：

二枚のシリコンウエーハのうち、少なくとも一方のシリコンウエーハの表面に酸化膜を形成し、該酸化膜を介して他方のシリコンウエーハと密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、デバイス作製側ウエーハを所望厚さまで薄膜化するSOI基板の製造方法において、前記デバイス作製側ウエーハとして、チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工したものを用いることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 , C30B 29/06 , H01L 21/02 , H01L 21/762

FI (4件)：

H01L 27/12 B , C30B 29/06 A , H01L 21/02 B , H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-068105 出願人：株式会社日本自動車部品総合研究所
SOI基板の作製方法およびSOI基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-257758 出願人：信越半導体株式会社
低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-201762 出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト

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