特許
J-GLOBAL ID:200903022975218430

高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-229231
公開番号(公開出願番号):特開2009-062414
出願日: 2007年09月04日
公開日(公表日): 2009年03月26日
要約:
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】特定の酸解離性抑制基エステル骨格を有するアクリル酸系エステル構成単位、そのモノマーは、例えば下記(I)式であり、又特定のアダマンタン骨格を有するアクリル酸系エステル構成単位を有する高分子化合物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(a1’-1)で表される構成単位(a1’)、および下記一般式(a3’-1)で表される構成単位(a3’)を有する高分子化合物。
IPC (5件):
C08F 220/10 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/26
FI (5件):
C08F220/10 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/26
Fターム (31件):
2H025AA02 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11S ,  4J100BA15P ,  4J100BA22R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC53Q ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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