特許

J-GLOBAL ID：200903023006265796

半導体レーザ装置及びそれを用いた画像形成装置

発明者： 門馬 進 ,  坂本 順信 ,  稲永 宏
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-014321
公開番号（公開出願番号）：特開2009-176969
出願日： 2008年01月25日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】半導体レーザ装置の放熱効率を改善し、半導体レーザ素子の光出力の低下(ドループ)を改善させた半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子の基板側に接合されているサブマウントと、該サブマウントの裏側に接合されているヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置において、前記半導体レーザ素子上面と該半導体レーザ素子側面と該サブマウント面とヒートシンク面とに金属膜が形成されており、該半導体レーザ素子上面と該ヒートシンク面とが金属膜でつながっていることを特徴とする。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の基板側に接合されているサブマウントと、該サブマウントの裏側に接合されているヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置において、 前記半導体レーザ素子上面と該半導体レーザ素子側面と該サブマウント面とヒートシンク面とに金属膜が形成されており、該半導体レーザ素子上面と該ヒートシンク面とが金属膜でつながっていることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/024

FI (2件)：

H01S5/022 ,  H01S5/024

Fターム (7件)：

5F173MA06 ,  5F173MC12 ,  5F173MD16 ,  5F173MD53 ,  5F173MD58 ,  5F173MD63 ,  5F173MD65

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザアセンブリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-103557   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

• 光学素子の実装構造および光学素子の実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-126875   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体レーザとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-224130   出願人：住友電気工業株式会社
• 光素子およびその製造方法、光素子と実装基板との実装構造、光素子と実装基板との実装方法、光モジュール、ならびに光伝達装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-354043   出願人：セイコーエプソン株式会社