半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119338
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318344
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】従来における半導体装置では、Cuフレーム上で発生した振動が導電板を介して半導体素子へと伝わることで、振動により半導体素子が故障する問題があった。【解決手段】本発明における半導体装置では、半導体素子21のソース電極24と半田を介して接続する導電板25として、少なくとも2種類の厚みを有する導電板25を用いる。そして、ソース電極24、ポスト30とも接続しない領域を薄く形成することで、この薄く形成した領域を緩衝板として利用することに特徴がある。そのことで、ポスト30側で発生した振動が導電板25へ伝わると、導電板25のある程度の自在性を有する薄い部分が変形することで、その振動が半導体素子21へと伝わるのを大幅に抑制することができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの主表面を有し、前記主表面には絶縁層を有し前記絶縁層に少なくとも2つ設けられた孔から一部を露出する電流通過電極および制御電極とを有する半導体素子と、前記半導体素子外部に設けられた前記電流通過電極の取り出し導電領域と、前記電流通過電極と前記取り出し導電領域とを電気的に接続する導電板とを具備し、前記導電板は少なくとも前記主表面の電流通過電極と導電材を介して接続する第1の接続領域と、前記取り出し導電領域と導電材を介して接続する第2の接続領域とを有し、前記主表面上に固着される前記第1の接続領域には前記導電板を貫通する孔が少なくとも1つ形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/48 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 23/48 G , H01L 29/78 652 Q , H01L 29/78 652 S

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-287385 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-081786 出願人：三洋電機株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-068544 出願人：株式会社東芝, 東芝コンポーネンツ株式会社

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