特許
J-GLOBAL ID：200903023022860424
圧電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-202588
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017767
出願日： 2001年07月03日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：
【要約】【課題】 大きな圧電変位量を確実に且つ簡便に得る。【解決手段】 基板11上に、Ti膜12及び第1のPt膜13による積層構造とされた下地膜14を介してPZT薄膜15を形成する。この第1のPt膜13の(111)ピークにおけるロッキングカーブの半値幅を5°以内に設定する。これにより、Tiリッチな組成とされたPZT薄膜15における(111)配向度を十分に且つ簡便に確保することができる。これによりPZT薄膜15は、自発分極が向上し、大きな圧電変位量を示すこととなる。
請求項（抜粋）：
基板上に、(111)方位に優先配向されたPt膜と、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)薄膜とが順次積層されてなる圧電素子において、上記Pt膜は、X線回折におけるロッキングカーブの半値幅が5°以内に設定されていることを特徴とする圧電素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 41/08 D
, H01L 41/18 101 Z
