特許
J-GLOBAL ID：200903023041955339

半導体ウエハおよびその製造方法、並びに半導体光増幅器の製造方法

発明者：
伊東 雅之

伊東 雅之 について

, 
東盛 裕一

東盛 裕一 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-076232
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280672
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 所望の歪量を有する部位を確実に取り出すためには、ウエハ面内にランダムにできる歪量分布をウエハの結晶成長直後に綿密に調べてからプロセス後工程を行う必要性があり、デバイス作製プロセスとしては煩雑な工程が含まれていた。【解決手段】 歪バルク活性層(In1-xGaxAsyP1-y)の成長では、形成時の原料ガス(TMIn,TEG,AsH3)供給開始前Taから原料供給停止後Tbまで、異なる光強度Pの光を所定の領域に同時に照射して局所的な組成変調を行うことにより、所望の歪量を有するウエハ部位を積極的に広範に形成する。このことにより、煩雑であるデバイス作製工程を簡略化した半導体ウエハ、半導体ウエハの製造方法並びに半導体光増幅器の製造方法を提供することができる。
請求項（抜粋）：
歪バルク活性層を有する半導体ウエハであり、前記歪バルク活性層は平均の歪量が異なり、歪量変化が0.1%以下である領域(歪量等分布領域)を複数箇所有することを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (4件)：
H01S 5/323 ,  C23C 16/30 ZCC ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/50 610
FI (4件)：
H01S 5/323 ,  C23C 16/30 ZCC ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/50 610
Fターム (21件)：
4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BA51 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030FA14 ,  4K030LA14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AF04 ,  5F045BB11 ,  5F045DA54 ,  5F045EE12 ,  5F045EE18 ,  5F073AA74 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM