半導体デバイスの欠陥レビュー方法及びその装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-227374
公開番号（公開出願番号）：特開2007-040910
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】低倍率のSEM像で欠陥を検出し、高倍率のSEM画像で欠陥を観察する半導体デバイスの欠陥レビューにおいて、欠陥レビューの効率をあげて短時間に多数に欠陥をレビューできるようにする。【解決手段】半導体デバイスの欠陥を観察する方法において、検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を走査型電子顕微鏡を用いて第1の倍率で欠陥を含む画像を取得し、この取得した第1の倍率の欠陥を含む画像から参照画像を作成し、取得した第1の倍率の欠陥を含む画像とこの第1の倍率の欠陥を含む画像から作成した参照画像とを比較して欠陥を検出し、検出した欠陥を第1の倍率よりも大きい第2の倍率で撮像するようにした。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの欠陥を観察する方法であって、検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を走査型電子顕微鏡を用いて第1の倍率で前記欠陥を含む画像を取得し、該取得した第1の倍率の欠陥を含む画像から参照画像を作成し、前記取得した第1の倍率の欠陥を含む画像と該第1の倍率の欠陥を含む画像から作成した参照画像とを比較して欠陥を検出し、該検出した欠陥を前記第1の倍率よりも大きい第2の倍率で撮像することを特徴とする半導体デバイスの欠陥レビュー方法。

IPC (4件)：

G01N 23/225 , H01L 21/66 , G01B 15/00 , G06T 1/00

FI (4件)：

G01N23/225 , H01L21/66 J , G01B15/00 K , G06T1/00 305A

Fターム (62件)：

2F067AA03 , 2F067AA45 , 2F067BB04 , 2F067CC17 , 2F067EE10 , 2F067HH05 , 2F067JJ05 , 2F067KK04 , 2F067KK08 , 2F067PP12 , 2F067RR12 , 2F067RR35 , 2F067RR40 , 2F067SS02 , 2F067SS13 , 2G001AA03 , 2G001BA07 , 2G001BA15 , 2G001BA30 , 2G001CA03 , 2G001DA06 , 2G001FA01 , 2G001GA04 , 2G001GA06 , 2G001HA13 , 2G001JA02 , 2G001JA07 , 2G001JA11 , 2G001JA13 , 2G001JA16 , 2G001KA03 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G001PA07 , 2G001PA11 , 4M106BA02 , 4M106CA38 , 4M106DB05 , 4M106DJ04 , 4M106DJ11 , 4M106DJ18 , 5B057AA03 , 5B057BA01 , 5B057BA29 , 5B057CA02 , 5B057CA08 , 5B057CA12 , 5B057CA16 , 5B057CB02 , 5B057CB06 , 5B057CB12 , 5B057CB16 , 5B057CC01 , 5B057CE08 , 5B057CE12 , 5B057DA03 , 5B057DB02 , 5B057DB05 , 5B057DB09 , 5B057DC22 , 5B057DC33 , 5B057DC36

引用特許：

出願人引用 (4件)

試料の観察方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-195345 出願人：株式会社日立製作所
自動欠陥情報収集制御方法及び自動欠陥情報収集制御プログラムを記録した記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-239819 出願人：株式会社日立製作所
欠陥検査レビュー方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-292790 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (4件)

走査型荷電粒子ビーム装置を用いた欠陥検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-207075 出願人：日本電子株式会社
寸法測定装置、寸法測定方法およびプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-009454 出願人：株式会社東芝
欠陥分類器の生成方法および欠陥自動分類方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-047290 出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ

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