特許
J-GLOBAL ID：200903023125060132

発光装置及び電子機器

発明者：
納 光明

納 光明 について

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安西 彩

安西 彩 について

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小山 潤

小山 潤 について

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宇田川 誠

宇田川 誠 について

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早川 昌彦

早川 昌彦 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008719
公開番号（公開出願番号）：特開2003-295793
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：
【要約】【課題】 TFTの特性ばらつきが画質に影響しにくく、かつ高開口率を実現する発光装置を提供する。【解決手段】 本発明の発光装置は、画素部に大きなCs部を設けず、駆動用TFTのチャネル長とチャネル幅を大きくし、そのチャネル容量をCsとして用いる。さらに、チャネル長はチャネル幅よりも大幅に大きくして飽和領域における電流特性を改善し、駆動用TFTのVGSを高くすることによって所望のドレイン電流を得る。これにより、しきい値電圧のばらつきが駆動用TFTのドレイン電流の値に影響しにくくすることが出来る。また、画素のレイアウトの際、隔壁の下に配線を配置し、配線の下に駆動用TFTを配置することで、駆動用TFTのサイズが大きくなっても開口率の低下を回避出来る。また、3トランジスタ型の場合スイッチング用TFT2つを直線状に配置することでさらに高開口率化が期待出来る。
請求項（抜粋）：
駆動用トランジスタと接続する発光素子を有する画素を、複数個備えた発光装置であって、前記駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧を保持するための容量部は、前記駆動用トランジスタのゲート電極と半導体層と、それらの間に設けられた絶縁膜によって設けられたことを特徴とする発光装置。
IPC (7件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (8件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H01L 27/15 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 612 Z
Fターム (60件)：
3K007AB02 ,  3K007AB17 ,  3K007BA06 ,  3K007BB04 ,  3K007BB05 ,  3K007BB07 ,  3K007DB03 ,  3K007FA02 ,  3K007GA04 ,  5C094AA03 ,  5C094AA07 ,  5C094AA08 ,  5C094AA10 ,  5C094AA15 ,  5C094AA25 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA12 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094CA25 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB02 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA07 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094JA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (13件)
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