特許
J-GLOBAL ID：200903067143018264

発光装置

発明者：
宇田川 誠

宇田川 誠 について

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早川 昌彦

早川 昌彦 について

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小山 潤

小山 潤 について

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納 光明

納 光明 について

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安西 彩

安西 彩 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010766
公開番号（公開出願番号）：特開2003-208110
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：
【要約】【課題】 OLEDを有する発光装置において生じる輝度のバラツキを低減する。【解決手段】 本発明は、従来のものに比べて格段にチャネル長の長いTFT、具体的には従来よりも数十倍〜数百倍長いチャネル長とし、従来よりも格段に高いゲート電圧値でオン状態として駆動させ、チャネルコンダクタンスgdの低いTFTを提供する。本発明により、単純なオン電流のバラツキだけでなく、規格化したバラツキをも減少させることができ、各TFT間のバラツキ低減以外にも、OLED自体のバラツキ、OLEDの劣化によるバラツキも低減することができる。
請求項（抜粋）：
陰極と、該陰極に接する有機化合物層と、該有機化合物層に接する陽極とを有する発光素子を有する発光装置であって、前記発光素子に接続されるTFTのチャネル長Lが100μm以上であることを特徴とする発光装置。
IPC (4件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (4件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 618 C
Fターム (75件)：
3K007AB02 ,  3K007AB17 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5C094AA03 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094EA10 ,  5C094FB14 ,  5C094HA08 ,  5C094JA01 ,  5C094JA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110FF04 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (25件)
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審査官引用 (25件)
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