特許
J-GLOBAL ID：200903023160136443
TiNとAl合金との間の界面の安定化
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-524080
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509692
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：
【要約】金属層と耐火金属の窒化物からなるバリヤー層との間の界面を含む半導体装置の製造方法であって、高温で該バリヤー層をウエーハ上に被着する工程、該バリヤー層を、プラズマの存在下、低圧で、該バリヤー層の表面を酸化させるに十分な時間、酸素もしくは酸素含有ガスと不活性ガスとの混合物に供する工程、該酸素含有ガスを除去する工程、および該ウエーハをエアーブレークに供することなく、該酸化された表面上に該金属層を被着する工程を備えることを特徴とする方法。本方法は、低コストで高いスループットを達成することを可能とする。
請求項（抜粋）：
金属層と耐火金属の窒化物からなるバリヤー層との間の界面を含む半導体装置の製造方法であって、 a)高温で該バリヤー層をウエーハ上に被着する工程、 b)該バリヤー層を、プラズマの存在下、低圧で、該バリヤー層の表面を酸化させるに十分な時間、酸素もしくは酸素含有ガスと不活性ガスとの混合物に供する工程、 c)該酸素含有ガスを除去する工程、および d)該ウエーハをエアーブレークに供することなく、該酸化された表面上に該金属層を被着する工程を備えることを特徴とする該方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/768
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/90 C
