特許
J-GLOBAL ID：200903023187722913

バンプの形成方法

発明者：
波多野 正喜

波多野 正喜 について

, 
浅見 博

浅見 博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-231435
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048919
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】バンプを構成するはんだ量を均一にするとともに均一な高さのバンプを形成するバンプの形成方法を提供する。【解決手段】基板1上に設けられた電極部2の表面を露出させる状態で、開口部5aが設けられたレジストマスク5を、基板1上に形成する工程を行う。次いで、開口部5aの少なくとも側壁を覆う状態で、はんだ濡れ性を有する密着膜7を形成する工程を行う。続いて、密着膜7が設けられた開口部5aに、レジストマスク5の表面よりも上方にはみ出す状態で、はんだを埋め込んではんだ層8を形成するとともに、はんだ層8のリフロー処理を行う。その後、研磨により、レジストマスク5の表面と略同等の高さになるまで、リフロー処理後のはんだ層8’の余剰部分を除去することで、はんだ層8’からなるバンプ9を形成した後、レジストマスク5を除去する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた電極部の表面を露出させる状態で、開口部が設けられたマスクパターンを、基板上に形成する第1工程と、 前記開口部の少なくとも側壁を覆う状態で、はんだ濡れ性を有する密着膜を形成する第2工程と、 前記密着膜が設けられた前記開口部に、前記マスクパターンの表面よりも上方にはみ出す状態で、はんだを埋め込んではんだ層を形成するとともに、当該はんだ層のリフロー処理を行う第3工程と、 研磨により、前記マスクパターンの表面と略同等の高さになるまで前記はんだ層の余剰部分を除去することで、当該はんだ層からなるバンプを形成した後、前記マスクパターンを除去する第4工程とを有する ことを特徴とするバンプの形成方法。
IPC (1件)：
H01L 21/60
FI (3件)：
H01L21/92 604M ,  H01L21/92 602D ,  H01L21/92 604E
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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