半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-123498
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317563
出願日： 1998年05月06日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】低閾値電流、高スロープ効率でレーザ発振し、高温動作特性、特性の均一性に優れた半導体レーザーを再現性よく提供する。【解決手段】選択的に半導体活性層が形成され、該半導体活性層は層厚方向および横方向の全てが該活性層よりバンドギャップの大きな結晶により埋め込まれている半導体レーザにおいて、該活性層の両側に形成される電流狭窄層を、絶縁膜により構成し、該電流狭窄層の厚さを0.1μm以下とする。

請求項（抜粋）：

選択的に半導体活性層が形成され、該半導体活性層は層厚方向および横方向の全てが該活性層よりバンドギャップの大きな結晶により埋め込まれている半導体レーザであって、該活性層の両側に形成される電流狭窄層が、絶縁膜により構成されており、該電流狭窄層の厚さが0.1μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

出願人引用 (7件)

光半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-230373 出願人：日本電気株式会社
特開平1-220492
特開昭63-120491

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審査官引用 (7件)

光半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-230373 出願人：日本電気株式会社
特開平1-220492
特開昭63-120491

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