特許
J-GLOBAL ID：200903050185700979
光半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230373
公開番号（公開出願番号）：特開平10-075009
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：
【要約】【課題】低損失な光導波路の両脇へ電流狭窄構造を導入した素子容量の小さな、狭メサ構造の光半導体装置を提供する。【解決手段】n型InP基板1に、SiO2 膜でなる第1のマスク2-1,第2のマスク2-2を形成し、マスク開口部へ、光導波路(3-1A,3-2A,3-3A)の選択成長を行う。光導波路上部および、光導波路の底部から3μm離れた脇にマスク(4-1,4-2,4-3)をパターニングし、光導波路を電流狭窄構造体(5,6)で選択埋め込み成長を行う。マスク4-3のみを除去した後、クラッド層8,キャップ層9の選択成長を行った。選択成長により直接形成された、光導波路に電流ブロック構造を導入した光半導体装置において、素子容量の小さな、狭メサ構造が半導体層のエッチング工程を用いることなく実現される。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の一主面に、活性層を含む多層構造体がストライプ状に両側面を特定の結晶面として選択成長された光導波路と、前記光導波路の側面に接して設けられた半導体電流狭窄構造体とを有し、前記半導体電流狭窄構造体の底面が前記光導波路近傍の前記一主面にのみ接して選択的に形成されていることを特徴とする光半導体装置。
引用特許：
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