特許
J-GLOBAL ID：200903023297924597

GaN系半導体装置

発明者：
賀屋 秀介

賀屋 秀介 について

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吉田 清輝

吉田 清輝 について

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加藤 禎宏

加藤 禎宏 について

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野村 剛彦

野村 剛彦 について

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池田 成明

池田 成明 について

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岩見 正之

岩見 正之 について

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佐藤 義浩

佐藤 義浩 について

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神林 宏

神林 宏 について

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李 江

李 江 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-297732
公開番号（公開出願番号）：特開2009-124001
出願日： 2007年11月16日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】エレクトロマイグレーションの発生を抑制でき、GaN系半導体素子の低オン抵抗という利点を維持しつつ、信頼性の向上を図ったGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】GaN系半導体装置20は、オン状態で2つの電極間で能動層25を介して電流が流れるソース電極31およびドレイン電極32と、ゲート電極33と、裏面電極34とを備える。ソース電極31は、能動層25におけるソース電極31を形成する部分を、能動層25の表面側からP型のシリコン基板21に達する深さまで掘った溝27の内壁面に、その表面側からシリコン基板21と接触する位置まで延びている。ソース電極31には、シリコン基板21および能動層25の両方にオーミック接合する金属を用いている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
P型のシリコン(Si)基板と、該基板上に形成されたGaN系半導体からなる能動層と、オン状態で能動層を介して相互間に電流が流れる第1電極および第2電極と、前記基板の裏面に形成された裏面電極と、を備え、 前記第1電極は、前記能動層の表面側から前記シリコン基板に達する溝の内壁面に、前記表面側から前記シリコン基板と接触する位置まで延びており、 前記第1電極に、前記シリコン基板および前記能動層の両方にオーミック接合する金属を用いていることを特徴とするGaN系半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (7件)：
H01L29/80 U ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301S ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
Fターム (50件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GS09 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV08 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA17 ,  5F140BB15 ,  5F140BC12 ,  5F140BH03 ,  5F140BH17 ,  5F140BH21 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK17 ,  5F140BK26 ,  5F140CA10 ,  5F140CD09
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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