特許
J-GLOBAL ID：200903084907639864

半導体装置及びその製造方法

発明者：
引田 正洋

引田 正洋 について

, 
上野 弘明

上野 弘明 について

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廣瀬 裕

廣瀬 裕 について

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柳原 学

柳原 学 について

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上本 康裕

上本 康裕 について

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田中 毅

田中 毅 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-270925
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086398
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】耐圧に優れ、強度の高いIII-V族窒化物半導体からなる半導体装置を実現する。【解決手段】本発明の構造では、第1のソース電極106がバイアホール112を介して導電性基板101に接続されており、また、第2のソース電極110が形成されている。これにより、ゲート電極108とドレイン電極107との間に高い逆方向電圧が印加されても、ゲート電極108のうちドレイン電極107に近い側の端部に起こりやすい電界集中を効果的に分散または緩和することができるため、耐圧が向上する。また、素子形成層を形成する基板として導電性基板101を用いているため、導電性基板101には裏面まで貫通するバイアホールを設ける必要がない。したがって、導電性基板101に必要な強度を保持したまま、第1のソース電極106と裏面電極115とを電気的に接続することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電層と、 前記導電層の上方に形成され、III-V族窒化物半導体からなるチャネル層と、 前記チャネル層の上に形成され、III-V族窒化物半導体からなるショットキー層と、 前記ショットキー層の上方の一部にそれぞれ形成された第1のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、 前記第1のソース電極と接続される第2のソース電極と、 前記チャネル層及び前記ショットキー層を貫通する溝を介して、前記第1のソース電極と前記導電層とを接続する配線部材とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/41
FI (8件)：
H01L29/80 U ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/44 S ,  H01L29/44 L ,  H01L29/44 Y
Fターム (43件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB25 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  4M104HH18 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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